行业动态
来源：X-FAB 作者：X-FAB
中国北京，2024年12月5日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布一项非易失性存储领域的重大创新。该创新利用X-FAB同类最佳的SONOS技术：基于其高压BCD-on-SOI XT011这一110nm工艺节点平台，X-FAB可为客户提供符合AECQ100 Grade-0标准的32kByte容量嵌入式闪存IP，并配备额外的4Kbit EEPROM。此外，从2025年起，X-FAB还计划推出更大容量的64KByte、128KByte闪存以及更大存储空间的EEPROM。
通过采用独特的方法，将闪存和EEPROM元件都置于单个宏单元内，并共享必要的控制电路。这意味着使用更简单的布局从而减少组合元件的总体占用面积，并为支持Grade-0，175°C的32KBytes存储解决方案设定了新的行业基准。
该嵌入式闪存为客户带来市场上最先进的数据访问能力，能够在整个-40°C至175°C温度范围内读取数据，而EEPROM也能在高达175°C的温度下写入数据。EEPROM适用于需要频繁写入数据的应用，可提高闪存的耐用性与灵活性；它还可以有效地充当缓存，在工作条件不适合写入闪存时将数据编程至EEPROM，然后当温度降至125°C以下时再写入闪存。得益于出色的稳健性、持续的数据存储完整性和显著的空间节�。肐P旨在满足汽车、医疗和工业应用的需求。
这款新型NVM组合IP采用64位总线，闪存元件采用8位ECC，EEPROM元件采用14位ECC，这使得集成该IP所部署的器件实现零PPM误差性能。用于轻松访问存储器和DFT的专用电路可大幅缩短测试时间，并将相关成本降至最低。如有需要，X-FAB还可提供BIST�？楹筒馐苑瘛�
“凭借更小的占用空间和更快的访问速度，我们的NVM组合IP将在高逻辑密度应用的开发中发挥关键作用。”X-FAB NVM解决方案技术营销经理Nando Basile补充道，“这将使下一代智能传感器和执行器CPU系统设计无论是在ARM或RISC-V等成熟CPU架构上，还是在客户的专有设计中具备更广泛的功能范围。”
缩略语：
BCD Bipolar-CMOS-DMOS ：双极型晶体管-互补金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体
NVM Non-Volatile-Memory：非易失性存储
BIST Build-In Self-Test：内建自测试
DFT Design for Testability：可测性设计
ECC Error Checking and Correcting：错误检查和纠正
EEPROM 带电可擦可编程只读存储器
PPM 百万分率
SOI 绝缘体上硅
SONOS Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅
X-FAB是全球晶圆代工集团，提供全面的专业技术和设计IP，助力客户开发出世界领先的半导体产品，这些产品在X-FAB位于马来西亚、德国、法国和美国的六个生产基地进行生产。X-FAB主要服务于汽车、工业和医疗等终端市�。谀Ｄ�/混合信号技术、微系统/微机电系统（MEMS）和碳化硅（SiC）等领域拥有卓越的专业知识，是客户理想的开发和制造leyu·乐鱼。X-FAB自2025年4月起在巴黎泛欧交易所上市（股票代码：XFAB），现有约4,500名员工。
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