技术分享
电动压缩机设计-SiC�？槠�
发布时间：2024-09-25 10:18:16 浏览：241次
压缩机是汽车空调的一部分，它通过将制冷剂压缩成高温高压的气体，再流经冷凝器，节流阀和蒸发器换热，实现车内外的冷热交换。传统燃油车以发动机为动力，通过皮带带动压缩机转动。而新能源汽车脱离了发动机，以电池为动力，通过逆变电路驱动无刷直流电机，从而带动压缩机转动，实现空调的冷热交换功能。
电动压缩机控制器功能包括：驱动电机（逆变电路：包括ASPM模块或者分立器件搭载门极驱动，电压/电流/温度检测及保护，电源转换），与主机通讯（CAN或者LIN ,接收启�：妥傩藕牛⑺驮诵凶刺凸收闲藕牛┑龋采�(onsemi)在每个电路中都有相应的解决方案（图1）。上一章，我们探讨了安森美ASPM�？榉桨冈诘缍顾趸系挠τ茫疚闹饕致跾iC MOSFET 分立方案。
在上一章中，我们说明了安森美ASPM功率�？樵谟敕至⑵骷员壬嫌屑蟮挠攀�。如果能把SiC MOSEFT放进ASPM�？槭亲詈玫难≡�。在SiC MOSEFT ASPM模块量产之前，SiC MOSEFT分立器件由于其特有的优势，成为众多电动压缩机开发客户的选择。
SiC MOSEFT是单极性器件，没有拖尾电流，开关速度比IGBT快很多。这也是SiC MOSEFT比IGBT更适用于更高频率应用的原因。而更高的驱动频率（比如20kHz或以上），可以有效减小电机的噪音，提高电机系统的响应速度和动态抗干扰能力。另外，更高的频率也会减少输出电流的谐波失真，并能有效降低电机中线圈的损耗，进而提高压缩机的整体效率。
4、减少死区时间
在电机应用中，为了使开关管工作可靠，避免由于关断延迟效应造成上下桥臂直通，需要设置死区时间 tdead，也就是上下桥臂同时关断时间。由于SiC MOSEFT的开关时间短，实际应用中，可以使用更小的死区时间，以改善死区大，输出波形失真大，驱动器输出效率低的问题。
SiC MOSEFT使用过程需要考虑的问题及解决办法
1、驱动电压的选择
从不同驱动电压下的I/V曲线可以看出，Rdson会随着驱动电压的增加而减小。这意味着，驱动电压越高，导通损耗越小。但是芯片门极的耐压是有限的，比如NVH4L070N120M3S的驱动Vgs电压范围是?10V/+22V，而在SiC MOSEFT开关过程中，Vgs也会受到高dV/dt和杂散电感的影响，叠加一些电压毛刺，因此Vgs有必要留一定的裕量。
SiC MOSEFT（尤其是平面型）具有在2V-4V范围内的典型阈值电压Vth，并且随着温度的升高，Vth还会进一步降低。另一方面，在半桥应用电路中，由于SiC MOSEFT开关过程的dV/dt很高，通过另一个半桥SiC MOSEFT的Cgd产生的电流流过驱动电阻，在Vgs上产生一个电压，如果此电压高于Vth就会有误导通的风险，导致上下桥直通。因此在驱动上增加负电压是有必要的。从下图可以看出，增加负电压还可以有效降低关断损耗，使系统效率进一步提升。
使用安森美第三代的SiC MOSEFT，我们推荐使用+18V / -3V的电源驱动。
3.有限的短路能力
SiC MOSEFT相对IGBT来说，Die尺寸很�。缌髅芏群芨撸⑸搪肥焙苣言诩淌奔淠诎讯搪凡娜攘看汲鋈�。另外，SiC MOSFET 在电流过大的情况下不会出现急剧饱和行为（与IGBT不同）。短路发生时电流很容易达到额定电流额定值的 10倍以上，与IGBT 运行相比要高得多。
因此，SiC MOSEFT的短路耐受时间相对较短，某些产品低于2us。快速检测和快速关断对于 SiC MOSEFT的可靠运行和长寿命至关重要。带有去饱和功能（desat）的驱动芯片可以应对这种情况。通过设置desat保护的响应时间低于1us，可以有效的应对电动压缩机运行过程中可能存在的短路情况。
SiC MOSEFT驱动芯片的选择
在电动压缩机应用中，需要应对下桥和三路上桥的电源需求，增加负电源并不容易。针对这种情况，推荐使用自身可产生负压，带有desat保护，欠电压保护UVLO以及过热保护功能的专用SiC MOSEFT驱动芯片 NCV51705。基本功能如下：
Source/ Sink 电流： 6A/6A
Desat保护
可调负压输出：-3.4V / -5V / -8V
可调欠压保护UVLO电压
5V参考电压输出（供电给其他器件，比如隔离芯片）
过热保护
应用电路推荐如下（下桥可以不用隔离）
安森美的汽车级SiC MOSFET 分立器件
安森美有丰富的SiC MOSFET 产品，可以覆盖市面上所有的分立电动压缩机方案。以下是适用于800V平台电动压缩机的产品型号。
更多应用信息请参考
https://www.onsemi.com/download/white-papers/pdf/tnd6237-d.pdf
https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/ncv51705-d.pdf
结语
尽管SiC MOSFET在电动压缩机应用中存在一些挑战，但通过合理的设计和技术选择，可以有效地提高驱动频率、降低系统噪声并提高效率，最终有助于增加电动汽车的续航里程。
电动压缩机是电动汽车热管理的核心部件，除了可以提高车厢内的环境舒适度（制冷，制热）以外，对电驱动系统的温度控制发挥着重要作用，对电池的使用寿命、充电速度和续航里程都至关重要。
图1：电动压缩机是电动汽车热管理的核心部件
电动压缩机需要满足不断增加的需求，包括低成本、更小尺寸、更少振动和噪声、更高功率级别和更高能效。这些需求离不开压缩机驱动电路的设计和优秀器件的选型。电动压缩机控制器功能包括：驱动电机（逆变电路：包括ASPM模块或者分立器件搭载门极驱动，电压/电流/温度检测及保护，电源转换），与主机通讯（CAN或者LIN ,接收启�：妥傩藕牛⑺驮诵凶刺凸收闲藕牛┑龋采�(onsemi)在每个电路中都有相应的解决方案（图1）。上一章，我们探讨了安森美ASPM�？榉桨冈诘缍顾趸系挠τ茫疚闹饕致跾iC MOSFET 分立方案。
图2 电动压缩机驱动电路控制框图
SiC MOSFET的优势在上一章中，我们说明了安森美ASPM功率�？樵谟敕至⑵骷员壬嫌屑蟮挠攀�。如果能把SiC MOSEFT放进ASPM�？槭亲詈玫难≡�。在SiC MOSEFT ASPM模块量产之前，SiC MOSEFT分立器件由于其特有的优势，成为众多电动压缩机开发客户的选择。
1、 SiC MOSEFT材料的优势
10倍于si器件电介质击穿场强：更小的晶圆厚度和Rsp，更小的热阻
3倍以上的热导率：更小的热阻和更快的电子传输速度
2倍多的电子饱和速度：更快的开关速度
更好的热特性：更高的温度范围
2、 更小损耗及更高效率
以安森美适用于800V平台电动压缩机应用的最新一代IGBT AFGHL40T120RWD 和SiC MOSEFT NVHL070N120M3S 为例，根据I/V曲线来评估开通损耗， 在电流小于18A时，SiC MOSEFT的导通压降都是小于IGBT的，而电动压缩机在路上行驶过程中，运行电流会一直处于18A区间以内。即使是在极限电流下运行（比如快充时，压缩机给电池散热），有效值接近20A，在电流的整个正弦波周期内，SiC MOSEFT的开通损耗也不比IGBT差。
图3： SiC 和IGBT 开通特性对比
开关损耗方面，SiC MOSEFT优势明显，虽然规格书的测试条件有一些差异，但可以看出SiC MOSEFT的开关损耗远小于IGBT。表2： SiC 和IGBT 开关特性对比
我们使用相近电流规格的IGBT和SiC MOSEFT做了效率仿真，在最大功率下，SiC 也可以有效提高系统效率，尤其在高频应用中更加明显。图4： 电机应用中相近规格的IGBT /SiC MOSEFT效率对比
3、适用于高频应用SiC MOSEFT是单极性器件，没有拖尾电流，开关速度比IGBT快很多。这也是SiC MOSEFT比IGBT更适用于更高频率应用的原因。而更高的驱动频率（比如20kHz或以上），可以有效减小电机的噪音，提高电机系统的响应速度和动态抗干扰能力。另外，更高的频率也会减少输出电流的谐波失真，并能有效降低电机中线圈的损耗，进而提高压缩机的整体效率。
4、减少死区时间
在电机应用中，为了使开关管工作可靠，避免由于关断延迟效应造成上下桥臂直通，需要设置死区时间 tdead，也就是上下桥臂同时关断时间。由于SiC MOSEFT的开关时间短，实际应用中，可以使用更小的死区时间，以改善死区大，输出波形失真大，驱动器输出效率低的问题。
SiC MOSEFT使用过程需要考虑的问题及解决办法
1、驱动电压的选择
从不同驱动电压下的I/V曲线可以看出，Rdson会随着驱动电压的增加而减小。这意味着，驱动电压越高，导通损耗越小。但是芯片门极的耐压是有限的，比如NVH4L070N120M3S的驱动Vgs电压范围是?10V/+22V，而在SiC MOSEFT开关过程中，Vgs也会受到高dV/dt和杂散电感的影响，叠加一些电压毛刺，因此Vgs有必要留一定的裕量。
图5：不同Vgs下的I-V曲线
2、 低阈值电压Vth的问题SiC MOSEFT（尤其是平面型）具有在2V-4V范围内的典型阈值电压Vth，并且随着温度的升高，Vth还会进一步降低。另一方面，在半桥应用电路中，由于SiC MOSEFT开关过程的dV/dt很高，通过另一个半桥SiC MOSEFT的Cgd产生的电流流过驱动电阻，在Vgs上产生一个电压，如果此电压高于Vth就会有误导通的风险，导致上下桥直通。因此在驱动上增加负电压是有必要的。从下图可以看出，增加负电压还可以有效降低关断损耗，使系统效率进一步提升。
使用安森美第三代的SiC MOSEFT，我们推荐使用+18V / -3V的电源驱动。
图6：不同关断电压下的开关损耗对比
图7： Vth-温度特性曲线
3.有限的短路能力
SiC MOSEFT相对IGBT来说，Die尺寸很�。缌髅芏群芨撸⑸搪肥焙苣言诩淌奔淠诎讯搪凡娜攘看汲鋈�。另外，SiC MOSFET 在电流过大的情况下不会出现急剧饱和行为（与IGBT不同）。短路发生时电流很容易达到额定电流额定值的 10倍以上，与IGBT 运行相比要高得多。
因此，SiC MOSEFT的短路耐受时间相对较短，某些产品低于2us。快速检测和快速关断对于 SiC MOSEFT的可靠运行和长寿命至关重要。带有去饱和功能（desat）的驱动芯片可以应对这种情况。通过设置desat保护的响应时间低于1us，可以有效的应对电动压缩机运行过程中可能存在的短路情况。
SiC MOSEFT驱动芯片的选择
在电动压缩机应用中，需要应对下桥和三路上桥的电源需求，增加负电源并不容易。针对这种情况，推荐使用自身可产生负压，带有desat保护，欠电压保护UVLO以及过热保护功能的专用SiC MOSEFT驱动芯片 NCV51705。基本功能如下：
Source/ Sink 电流： 6A/6A
Desat保护
可调负压输出：-3.4V / -5V / -8V
可调欠压保护UVLO电压
5V参考电压输出（供电给其他器件，比如隔离芯片）
过热保护
应用电路推荐如下（下桥可以不用隔离）
图8：NCV51705半桥应用电路
安森美的汽车级SiC MOSFET 分立器件
安森美有丰富的SiC MOSFET 产品，可以覆盖市面上所有的分立电动压缩机方案。以下是适用于800V平台电动压缩机的产品型号。
图片11.png
图10：安森美(onsemi) SiC MOSFET 产品系列
更多应用信息请参考
https://www.onsemi.com/download/white-papers/pdf/tnd6237-d.pdf
https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/ncv51705-d.pdf
结语
尽管SiC MOSFET在电动压缩机应用中存在一些挑战，但通过合理的设计和技术选择，可以有效地提高驱动频率、降低系统噪声并提高效率，最终有助于增加电动汽车的续航里程。
免责声明： 本文章转自其它平台，并不代表本站观点及立场。若有侵权或异议，请联系我们删除。谢谢！ |
- 上一篇：BLDC电机基础中文讲解
- 下一篇：电机控制器中的MOS驱动，你懂了吗？
关注矽源特公众号
矽源特微信客服
发送邮件
商务QQ客服
13823761625
